Nichtflüchtige, elektrisch programmierbare und löschbare Speicherbausteine werden mit dem Namen Flash bezeichnet. Die Speicherzellen stellen eine Weiterentwicklung der UV-löschbaren EPROMs dar, in ihnen lassen sich Speicherzellen nur blockweise löschen, jedoch beliebig wiederbeschreiben. Zum Auslesen einer Zelle müssen bei der NAND-Struktur alle Zellen-Transistoren eingeschaltet sein, beim NOR-Flash läßt sich jeder Transistor separat auslesen. Zielmarkt für Flash-Speicher sind der EPROM-Ersatz und die magnetischen Medien. Weiterhin lassen sich in digitalen Kameras der Film und in Anrufbeantwortern das Band ersetzen.
Flash - aber nicht blitzschnell!
Ein Vergleich der beiden Flash-Technologien NAND und NOR
Elektronik ; 45 , 6 ; 64, 66, 70, 73-76
1996-01-01
13 pages
Article (Journal)
German
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