Nichtflüchtige, elektrisch programmierbare und löschbare Speicherbausteine werden mit dem Namen Flash bezeichnet. Die Speicherzellen stellen eine Weiterentwicklung der UV-löschbaren EPROMs dar, in ihnen lassen sich Speicherzellen nur blockweise löschen, jedoch beliebig wiederbeschreiben. Zum Auslesen einer Zelle müssen bei der NAND-Struktur alle Zellen-Transistoren eingeschaltet sein, beim NOR-Flash läßt sich jeder Transistor separat auslesen. Zielmarkt für Flash-Speicher sind der EPROM-Ersatz und die magnetischen Medien. Weiterhin lassen sich in digitalen Kameras der Film und in Anrufbeantwortern das Band ersetzen.


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    Titel :

    Flash - aber nicht blitzschnell!


    Untertitel :

    Ein Vergleich der beiden Flash-Technologien NAND und NOR


    Beteiligte:

    Erschienen in:

    Elektronik ; 45 , 6 ; 64, 66, 70, 73-76


    Erscheinungsdatum :

    1996-01-01


    Format / Umfang :

    13 pages


    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Deutsch




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