Es wird ein Halbleiterbauelement (10) mit einem Substrat und zumindest zwei Temperaturmesselementen (20, 22) beschrieben. Die beiden Temperaturmesselemente (20, 22) sind auf dem Bare Die (11) des Halbleiterbauelements (10) an unterschiedlichen Positionen innerhalb des Halbleiterbauelements (10) angeordnet. Insbesondere können ein Temperaturmesselement (20) in einem aktiven Bereichs (14) und ein Temperaturmesselement (22) in einem passiven Bereich (16) des Halbleiterbauelements (10) angeordnet sein. Die Temperaturmesselemente (20, 22) messen zwei unterschiedliche Temperaturen Tj, Tsense, mit deren Hilfe dann der Strom IDS durch das Halbleiterbauelement (10) berechnet werden kann. Das Halbleiterbauelement kann ein Leistungs-MOSFET (18) sein. Weiterhin wird ein Verfahren zur Bestimmung eines durch ein Halbleiterbauelement (10) fließenden Stromes IDS beschrieben, bei dem zwei an unterschiedlichen Orten des Halbleiterbauelements (10) gemessene Temperaturen verwendet werden. Das beschriebene Halbleiterbauelement (10) sowie das beschriebene Verfahren eignen sich beispielsweise zur Verwendung in einem Steuergerät für ein Fahrzeug.
A semiconductor component (10) comprising a substrate and at least two temperature measuring elements (20, 22) is described. The two temperature measuring elements (20, 22) are arranged on the bare die (11) of the semiconductor component (10) at different positions within the semiconductor component (10). In particular, one temperature measuring element (20) can be arranged in an active region (14) and one temperature measuring element (22) can be arranged in a passive region (16) of the semiconductor component (10). The temperature measuring elements (20, 22) measure two different temperatures Tj, Tsense, with the aid of which the current IDS through the semiconductor component (10) can then be calculated. The semiconductor component may be a power MOSFET (18). Furthermore, a method for determining a current IDS flowing through a semiconductor component (10) is described, wherein two temperatures measured at different locations of the semiconductor component (10) are used. The semiconductor component (10) described and the method described are suitable for example for use in a control unit for a vehicle.
L'invention concerne un composant semi-conducteur (10) avec un substrat et au moins deux éléments de mesure de températures (20, 22). Les deux éléments de mesure de températures (20, 22) sont disposés sur la puce nue (11) du composant semi-conducteur (10) à différentes positions à l'intérieur du composant semi-conducteur (10). En particulier, un élément de mesure de températures (20) peut être disposé dans une zone active (14) et un élément de mesure de températures (22) dans une zone passive (16) du composant semi-conducteur (10). Les éléments de mesure de températures (20, 22) mesurent deux températures différentes Tj, Tsense à l'aide desquelles le courant IDS traversant le composant semi-conducteur (10) peut être calculé. Le composant semi-conducteur peut être un MOSFET de puissance (18). L'invention concerne en outre un procédé de détermination d'un courant IDS s'écoulant à travers un composant semi-conducteur (10), selon lequel sont employées deux températures mesurées à différents endroits du composant semi-conducteur (10). Le composant semi-conducteur (10) décrit ainsi que le procédé décrit sont appropriés par exemple pour une application dans un appareil de commande pour un véhicule.
HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINEM ERSTEN TEMPERATURMESSELEMENT SOWIE VERFAHREN ZUM BESTIMMEN EINES DURCH EIN HALBLEITERBAUELEMENT FLIESSENDEN STROMES
SEMICONDUCTOR COMPONENT COMPRISING A FIRST TEMPERATURE MEASURING ELEMENT AND METHOD FOR DETERMINING A CURRENT FLOWING THROUGH A SEMICONDUCTOR COMPONENT
COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR AVEC UN PREMIER ÉLÉMENT DE MESURE DE TEMPÉRATURES AINSI QUE PROCÉDÉ DE DÉTERMINATION D'UN COURANT TRAVERSANT UN COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR
2017-06-01
Patent
Electronic Resource
German
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