Halbleitervorrichtung, enthaltend:eine erste Außenelektrode (101), welche in einer Oberfläche einen runden Außenrandteil (101s) enthält;einen MOSFET-Chip (103, 103p), welcher eine Drain-Elektrode (103d, 103pd), eine Source-Elektrode (103s, 103ps) und eine Gate-Elektrode (103g, 103pg) enthält;einen Steuerschaltungs-Chip (104, 104p), welcher Spannungen oder Ströme der Drain-Elektrode (103d, 103pd) und der Source-Elektrode (103s, 103ps) des MOSFET-Chips (103, 103p) empfängt und ein Signal zum Steuern des MOSFET-Chips (103, 103p) auf der Grundlage der Spannungen oder der Ströme an die Gate-Elektrode (103g, 103pg) des MOSFET-Chips (103, 103p) liefert;eine zweite Außenelektrode (107), welche bezüglich des MOSFET-Chips (103, 103p) auf einer der ersten Außenelektrode (101) entgegengesetzten Seite angeordnet ist und eine Außenanschlussklemme auf einer Mittelachse des runden Außenrandteils (101s) der ersten Außenelektrode (101) enthält; undein Isoliersubstrat (106), welches den Steuerschaltungs-Chip (104, 104p) von der ersten Außenelektrode (101) oder der zweiten Außenelektrode (107) elektrisch isoliert, wobeidie erste Außenelektrode (101), die Drain-Elektrode (103d, 103pd) und die Source-Elektrode (103s, 103ps) des MOSFET-Chips (103, 103p) und die zweite Außenelektrode (107) so angeordnet sind, dass sie sich in einer Richtung der Mittelachse überdecken, wobeieine der Drain-Elektrode (103d, 103pd) und der Source-Elektrode (103s, 103ps) des MOSFET-Chips (103, 103p) mit der ersten Außenelektrode (101) elektrisch verbunden ist, wobeidie andere der Drain-Elektrode (103d, 103pd) und der Source-Elektrode (103s, 103ps) des MOSFET-Chips (103, 103p) mit der zweiten Außenelektrode (107) elektrisch verbunden ist, und wobeidie Halbleitervorrichtung dadurch gekennzeichnet ist, dass sie ferner einen Kondensator (105) enthält, welcher zwischen eine Stromversorgungs-Anschlussklemme des Steuerschaltungs-Chips (104, 104p) und eine Source-Elektrode (103s, 103ps) des MOSFET-Chips (103, 103p) geschaltet ist, wobeider MOSFET-Chip (103, 103p) und das Isoliersubstrat (106) auf der ersten Außenelektrode (101) oder auf der zweiten Außenelektrode (107) angeordnet sind, und wobeidie Steuerschaltung und der Kondensator (105) auf dem Isoliersubstrat (106) angeordnet sind.

    Provided is a semiconductor device including: a first external electrode which includes a circular outer peripheral portion; a MOSFET chip; a control circuit chip which receives voltages of a drain electrode and a source electrode of the MOSFET and supplies a signal to a gate electrode to control the MOSFET on the basis of the voltage; a second external electrode which is disposed on an opposite side of the first external electrode with respect to the MOSFET chip and includes an external terminal on a center axis of the circular outer peripheral portion of the first external electrode; and an isolation substrate which isolates the control circuit chip from the external electrode. The first external electrode, the drain electrode and the source electrode of the MOSFET chip, and the second external electrode are disposed to be overlapped in a direction of the center axis. The drain electrode of the MOSFET chip and the first external electrode are connected. The source electrode of the MOSFET chip and the second external electrode are connected.


    Access

    Download


    Export, share and cite



    Title :

    Halbleitervorrichtung sowie Generator und Stromrichtvorrichtung, welche die Halbleitervorrichtung verwenden


    Contributors:

    Publication date :

    2024-07-04


    Type of media :

    Patent


    Type of material :

    Electronic Resource


    Language :

    German


    Classification :

    IPC:    H01L Halbleiterbauelemente , SEMICONDUCTOR DEVICES / B60R Fahrzeuge, Fahrzeugausstattung oder Fahrzeugteile, soweit nicht anderweitig vorgesehen , VEHICLES, VEHICLE FITTINGS, OR VEHICLE PARTS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR / H02M APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS , Anlagen zur Umformung von Wechselstrom in Wechselstrom, von Wechselstrom in Gleichstrom oder umgekehrt, oder von Gleichstrom in Gleichstrom und zur Verwendung in Netzen oder ähnlichen Stromversorgungssystemen



    Halbleitervorrichtung

    HIMI HIROAKI / YAMADA AKIRA / KUZUHARA TAKESHI | European Patent Office | 2016

    Free access

    FAHRZEUGINTERNE HALBLEITERVORRICHTUNG

    YANAGAWA YOSHIMITSU / MATSUMOTO MASAHIRO / NAKANO HIROSHI et al. | European Patent Office | 2023

    Free access

    Verfahren zum Betrieb einer Halbleitervorrichtung und eines Kühlsystem für die Halbleitervorrichtung

    MIYAMOTO NOBORU / AIKO MITSUNORI | European Patent Office | 2019

    Free access

    Halbleitervorrichtung, Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung, Reifen und beweglicher Gegenstand

    ATSUMI TOMOAKI / SAKAKURA MASAYUKI / OHSHIMA KAZUAKI | European Patent Office | 2016

    Free access

    Halbleitervorrichtung, Leistungsumwandlungsvorrichtung und mobiler Körper

    HIRONAKA YOICHI / YANAGIMOTO TATSUNORI | European Patent Office | 2023

    Free access