Halbleitervorrichtung (100, 100a, 101a–101d) mit: einer Anzahl n (n ≥ 2) von Transistorelementen (Tr1–Trn), die voneinander isoliert und getrennt und in Reihe nacheinander zwischen einem GND-Potential und einem vorgegebenen Potential verbunden sind, worin ein Transistorelement (Tr1) auf der Seite des GND-Potentials als eine erste Stufe und ein Transistorelement (Trn) auf der Seite des vorgegebenen Potentials als eine n-te Stufe eingestellt sind, worin ein Gate-Anschluss des Transistorelements bei der ersten Stufe als Eingangsanschluss eingestellt ist; und einer Anzahl n von Widerstandselementen oder Kapazitätselementen (R1–Rn), die nacheinander in Reihe zwischen dem GND-Potential und dem vorgegebenen Potential miteinander verbunden sind, worin ein Widerstands- oder Kapazitätselement (R1) auf der Seite des GND-Potentials als erste Stufe und ein Widerstands- oder Kapazitätselement (Rn) auf der Seite des vorgegebenen Potentials als n-te Stufe eingestellt sind, worin Gate-Anschlüsse der Transistorelemente bei den jeweiligen Stufen mit Verbindungspunkten (P2–Pn) zwischen den in Reihe miteinander verbundenen Widerstands- oder Kapazitätselementen (R1–Rn) bei den jeweiligen Stufen nacheinander verbunden sind, wobei das Transistorelement bei der ersten Stufe ausgeschlossen ist, und worin von dem Anschluss auf der Seite des vorgegebenen Potentials des Transistorelements (Trn) der n-ten Stufe eine Ausgabe entnommen wird, worin die Transistorelemente (Tr1–Trn) in einer SOI-Schicht (1) eines Halbleitersubstrats (11), das eine SOI-Struktur mit einem eingefügten Oxidfilm (3) aufweist, ausgeformt und voneinander durch sich zu dem eingefügten Oxidfilm (3) erstreckende Isolier- und Trenngräben (TR1–TRn) isoliert und getrennt sind und n-gemultiplexte Isolier- und Trenngräben (T1–Tn), die sich zu dem eingefügten Oxidfilm (3) erstrecken, ausgeformt sind, und die n Transistorelemente (TR1–TRn), welche voneinander isoliert und getrennt sind, in den jeweiligen Bereichen, die von den n-gemultiplexten Isolier- und Trenngräben (T1–Tn) umgeben sind, nacheinander angeordnet sind, so dass Transistorelemente bei höheren Stufen an der Innenseite angeordnet sind.

    A semiconductor device includes insulated and separated transistor elements successively connected to one another between ground potential and a predetermined potential. A transistor element at the GND potential side is a first stage and a transistor element at the predetermined potential side is an n-th stage. Resistance elements or capacitance elements are successively connected to one another in series between the GND potential and the predetermined potential. A resistance or capacitance element at the GND potential side is a first stage and a resistance or capacitance element at the predetermined potential side is an n-th stage. Gate terminals of the transistor elements at the respective stages excluding the transistor element at the first stage are successively connected to connection points. An output is taken from the terminal at the predetermined potential side of the transistor element of the n-th stage.


    Access

    Download


    Export, share and cite



    Title :

    Halbleitervorrichtung


    Contributors:

    Publication date :

    2016-05-25


    Type of media :

    Patent


    Type of material :

    Electronic Resource


    Language :

    German


    Classification :

    IPC:    H01L Halbleiterbauelemente , SEMICONDUCTOR DEVICES / B60H ARRANGEMENTS OR ADAPTATIONS OF HEATING, COOLING, VENTILATING, OR OTHER AIR-TREATING DEVICES SPECIALLY FOR PASSENGER OR GOODS SPACES OF VEHICLES , Anordnung oder Einbau der Heizung, Kühlung, Lüftung oder anderer Luftbehandlungsvorrichtungen für die Fahrzeugräume für Reisende oder Fracht / H02M APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS , Anlagen zur Umformung von Wechselstrom in Wechselstrom, von Wechselstrom in Gleichstrom oder umgekehrt, oder von Gleichstrom in Gleichstrom und zur Verwendung in Netzen oder ähnlichen Stromversorgungssystemen



    FAHRZEUGINTERNE HALBLEITERVORRICHTUNG

    YANAGAWA YOSHIMITSU / MATSUMOTO MASAHIRO / NAKANO HIROSHI et al. | European Patent Office | 2018

    Free access

    Halbleitervorrichtung sowie Generator und Stromrichtvorrichtung, welche die Halbleitervorrichtung verwenden

    ISHIMARU TETSUYA / MORI MUTSUHIRO / KURITA SHINICHI et al. | European Patent Office | 2024

    Free access

    Halbleitervorrichtung, Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung, Reifen und beweglicher Gegenstand

    ATSUMI TOMOAKI / SAKAKURA MASAYUKI / OHSHIMA KAZUAKI | European Patent Office | 2016

    Free access

    Halbleitervorrichtung und Halbleitersystem

    HAYASHIMOTO HAJIME / SEWAKI KENJI | European Patent Office | 2025

    Free access

    Verfahren zum Betrieb einer Halbleitervorrichtung und eines Kühlsystem für die Halbleitervorrichtung

    MIYAMOTO NOBORU / AIKO MITSUNORI | European Patent Office | 2019

    Free access