Die Offenbarung betrifft eine Halbleitersicherung (200) zum sicheren Trennen eines elektrischen Verbrauchers (112) von einer Energieversorgungsquelle (111) für ein batterie-elektrisches Fahrzeug. Die Halbleitersicherung (200) umfasst: zumindest ein Halbleiterschaltelement (211), das zwischen die Energieversorgungsquelle (111) und den elektrischen Verbraucher (112) schaltbar ist. Das Halbleiterschaltelement (211) weist einen Gate-Steueranschluss (212) zum Steuern eines An- und Abschaltens des Halbleiterschaltelements (211) auf; eine Treiberschaltung (221), die ausgebildet ist, an den Gate-Steueranschluss (212) des zumindest einen Halbleiterschaltelements (211) eine Treiberspannung (223) anzulegen, die kleiner ist als eine vorgegebene Gate-Schwellspannung (501) des Halbleiterschaltelements (211); eine Messschaltung (222), die ausgebildet ist, eine Gate-Ladung an dem Gate-Steueranschluss (212) zu bestimmen; und eine Steuerung (220), die ausgebildet ist, basierend auf der Gate-Ladung eine Drift der Gate-Schwellspannung (501) zu erkennen und bei Erkennen der Drift der Gate-Schwellspannung (501) eine Fehlfunktion des zumindest einen Halbleiterschaltelements (211) anzuzeigen.
A semiconductor fuse for disconnecting an electric consumer from an energy supply source for a battery electric vehicle includes at least one semiconductor switch element that is connected between the energy supply source and the electric consumer. The semiconductor switch element includes a gate control terminal for controlling a switch-on and switch-off of the semiconductor switch element. The semiconductor fuse includes: a driver circuit for applying a driver voltage that is lower than a predetermined gate threshold voltage of the semiconductor switch element at the gate control terminal of the at least one semiconductor switch element; a measurement circuit for determining a gate charge at the gate control terminal; and a control system that detects a drift of the gate threshold voltage based on the gate charge and indicates an issue with the semiconductor switch element based on the detected drift of the gate threshold voltage.
HALBLEITERSICHERUNG MIT MESSSCHALTUNG ZUM ERKENNEN EINER DRIFT DER GATESCHWELLSPANNUNG
2024-09-05
Patent
Electronic Resource
German
Kapazitive Sensorvorrichtung mit EMI-robuster kapazitiver Messschaltung
European Patent Office | 2018
|Messschaltung zur Ermittlung eines Isolationswiderstandes in elektrischen Fahrzeugen
European Patent Office | 2024
|