Die Offenbarung betrifft eine Halbleitersicherung (200) zum sicheren Trennen eines elektrischen Verbrauchers (112) von einer Energieversorgungsquelle (111) für ein batterie-elektrisches Fahrzeug. Die Halbleitersicherung (200) umfasst: zumindest ein Halbleiterschaltelement (211), das zwischen die Energieversorgungsquelle (111) und den elektrischen Verbraucher (112) schaltbar ist. Das Halbleiterschaltelement (211) weist einen Gate-Steueranschluss (212) zum Steuern eines An- und Abschaltens des Halbleiterschaltelements (211) auf; eine Treiberschaltung (221), die ausgebildet ist, an den Gate-Steueranschluss (212) des zumindest einen Halbleiterschaltelements (211) eine Treiberspannung (223) anzulegen, die kleiner ist als eine vorgegebene Gate-Schwellspannung (501) des Halbleiterschaltelements (211); eine Messschaltung (222), die ausgebildet ist, eine Gate-Ladung an dem Gate-Steueranschluss (212) zu bestimmen; und eine Steuerung (220), die ausgebildet ist, basierend auf der Gate-Ladung eine Drift der Gate-Schwellspannung (501) zu erkennen und bei Erkennen der Drift der Gate-Schwellspannung (501) eine Fehlfunktion des zumindest einen Halbleiterschaltelements (211) anzuzeigen.

    A semiconductor fuse for disconnecting an electric consumer from an energy supply source for a battery electric vehicle includes at least one semiconductor switch element that is connected between the energy supply source and the electric consumer. The semiconductor switch element includes a gate control terminal for controlling a switch-on and switch-off of the semiconductor switch element. The semiconductor fuse includes: a driver circuit for applying a driver voltage that is lower than a predetermined gate threshold voltage of the semiconductor switch element at the gate control terminal of the at least one semiconductor switch element; a measurement circuit for determining a gate charge at the gate control terminal; and a control system that detects a drift of the gate threshold voltage based on the gate charge and indicates an issue with the semiconductor switch element based on the detected drift of the gate threshold voltage.


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    Titel :

    HALBLEITERSICHERUNG MIT MESSSCHALTUNG ZUM ERKENNEN EINER DRIFT DER GATESCHWELLSPANNUNG


    Beteiligte:

    Erscheinungsdatum :

    05.09.2024


    Medientyp :

    Patent


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Deutsch


    Klassifikation :

    IPC:    G01R Messen elektrischer Größen , MEASURING ELECTRIC VARIABLES / B60L PROPULSION OF ELECTRICALLY-PROPELLED VEHICLES , Antrieb von elektrisch angetriebenen Fahrzeugen / H02H EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS , Schutzschaltungsanordnungen / H03K PULSE TECHNIQUE , Impulstechnik



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