Oxygen-related trapping and recombination centres in boron-doped crystalline silicon
2006
161 S.
21 cm
graph. Darst
Digital preservation by Technische Informationsbibliothek (TIB) / Leibniz-Informationszentrum Technik und Naturwissenschaften und Universitätsbibliothek
Theses
English
Bor , Rekombination , Störstelle , Dotierung , Silicium , Sauerstoff
TIBKAT | 2012
|