Oxygen-related trapping and recombination centres in boron-doped crystalline silicon
2006
161 S.
21 cm
graph. Darst
Langzeitarchivierung durch Technische Informationsbibliothek (TIB) / Leibniz-Informationszentrum Technik und Naturwissenschaften und Universitätsbibliothek
Hochschulschrift
Englisch
Bor , Rekombination , Störstelle , Dotierung , Silicium , Sauerstoff
TIBKAT | 2012
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