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    Titel :

    Oxygen-related trapping and recombination centres in boron-doped crystalline silicon


    Beteiligte:
    Bothe, Karsten (Autor:in)

    Erscheinungsdatum :

    2006


    Format / Umfang :

    161 S.


    Anmerkungen:

    21 cm
    graph. Darst
    Langzeitarchivierung durch Technische Informationsbibliothek (TIB) / Leibniz-Informationszentrum Technik und Naturwissenschaften und Universitätsbibliothek



    Medientyp :

    Hochschulschrift


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch



    Klassifikation :

    BKL:    33.72 Halbleiterphysik / 33.61 Festkörperphysik / 53.36 Energiedirektumwandler, elektrische Energiespeicher