Compensated silicon, carrier lifetime, boron-oxygen defect. - Kompensiertes Silicium, Ladungsträgerlebensdauer, Bor-Sauerstoff-Defekt


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    Titel :

    Boron-oxygen-related recombination centers in crystalline silicon and the effects of dopant-compensation


    Beteiligte:
    Lim, Bianca (Autor:in)

    Erscheinungsdatum :

    2012


    Format / Umfang :

    VII, 119 S.


    Anmerkungen:

    graph. Darst.
    Langzeitarchivierung durch Technische Informationsbibliothek (TIB) / Leibniz-Informationszentrum Technik und Naturwissenschaften und Universitätsbibliothek


    Medientyp :

    Hochschulschrift


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch


    Schlagwörter :

    Klassifikation :

    BKL:    53.36 Energiedirektumwandler, elektrische Energiespeicher