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    The influence of VLSI technology evolution on radiation-induced latchup in space systems

    Johnston, A.H. | Tema Archiv | 1996
    Schlagwörter: Submikrometerbereich

    Schöne neue Nano-Welt

    Vollrath, K. | Tema Archiv | 2002
    Schlagwörter: Nanometerbereich

    GaAs MMICs based components and frontends for millimeterwave communication and sensor systems

    Daembkes, H. / Adelseck, B. / Schmidt, L.P. et al. | Tema Archiv | 1995
    Schlagwörter: Submikrometerbereich

    Knock sensor signal conditioner

    Campos, M.P. / Reis Filho, C.A. dos | Tema Archiv | 2004
    Schlagwörter: 600-Nanometer-Bereich

    VCSEL based transmitter module for automotive temperature range between -55 degrees C and +125 degrees C

    Poferl, S.G. / Krieg, M. / Hocky, O. et al. | Tema Archiv | 2003
    Schlagwörter: 900-Nanometer-Bereich

    High energy density, thin-film, rechargeable lithium batteries for marine field operations

    Huang, Biying / Cook, C.C. / Mui, S. et al. | Tema Archiv | 2001
    Schlagwörter: 200-Nanometer-Bereich

    Wideband channelized receiver possibilities with 0.18 micron CMOS technology

    McWilliams, J.K. / Wentzel, S.W. | Tema Archiv | 1998
    Schlagwörter: Submikrometerbereich

    16-26GHz low noise amplifier for short-range automotive radar in a production SiGe:C technology

    Heijden, E. van der / Veenstra, H. / Havens, R. | Tema Archiv | 2006
    Schlagwörter: 300-Nanometer-Bereich

    A CMOS 110-dB 40-kS/s programmable-gain chopper-stabilized third-order 2-1 cascade sigma-delta Modulator for low-power high-linearity automotive sensor ASICs

    Rosa, J.M. de la / Escalera, S. / Perez-Verdu, B. et al. | Tema Archiv | 2005
    Schlagwörter: 400-Nanometer-Bereich