Es wird ein Duennschicht-Halbleiterbauelement beschrieben, dessen elektrischer Widerstand von der umgebenden Konzentration an NO beziehungsweise NO2 abhaengig ist. Der Halbleiter-Zinnoxid Sensor (TFS) zeigt, wenn er in den Auspuff eines Verbrennungsmotors gebracht wird, in seinem Widerstand das Luft-Benzin-Verhaeltnis des Gemischs an. Der groesste Widerstand wird bei einem L/B-Verhaeltnis im Bereich von 17 bis 18 beobachtet. Frequenzgangmessungen am Bauelement haben eine Zeitkonstante von 1,1 s ergeben. Der Duennschichthalbleitersensor kann ohne groesseren Aufwand mit einem Chemilumineszenz-Analysator fuer die NOx-Konzentrationsmessungen geeicht werden. In insgesamt sechs Messdiagrammen werden verschiedene Eichkurven dargestellt; zahlreiche Literaturhinweise erlauben ein weiteres Studium des Problemkreises.


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    Titel :

    Thin film semiconductor NOx sensor


    Weitere Titelangaben:

    Duennschichthalbleiter als NOx Sensor


    Beteiligte:


    Erscheinungsdatum :

    1980


    Format / Umfang :

    9 Seiten, 7 Bilder, 11 Quellen


    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    Thin Film Semiconductor NOx Sensor

    Chang, Shih-Chia | SAE Technical Papers | 1980


    Thin film semiconductor NOx sensor

    Chang,S.C. / General Motors Res.Lab.,US | Kraftfahrwesen | 1980


    Thin Film Temperature Sensor

    B. W. Kennedy / K. Wiemer / C. Karstendiek et al. | NTIS | 1968



    Thin film oxygen partial pressure sensor

    Wortmann, J. J. | TIBKAT | 1972