A power MOSFET which cuts off current surges itself at critical high temperatures and never breaks or fails thermally has been developed. The thermal sensors consist of PN junction diodes built into the polysilicon layers on the oxides of conventional DMOSFETs.


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    Titel :

    Self-Thermal Protecting Power MOSFETs


    Weitere Titelangaben:

    Sae Technical Papers


    Beteiligte:

    Kongress:

    SAE International Congress and Exposition ; 1988



    Erscheinungsdatum :

    01.02.1988




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch


    Schlagwörter :


    Self-thermal protecting power MOSFETs

    Yamaoka,M. / Tsuzuki,Y. / Kawamoto,K. et al. | Kraftfahrwesen | 1988


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    British Library Online Contents | 2008


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