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    Titel :

    Temperature-induced metal–semiconductor transition in W-doped VO2 films studied by photoelectron spectroscopy




    Erscheinungsdatum :

    2007



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch



    Klassifikation :

    BKL:    52.52 Thermische Energieerzeugung, Wärmetechnik / 50.70 Energie: Allgemeines / 52.56 Regenerative Energieformen, alternative Energieformen / 53.36 Energiedirektumwandler, elektrische Energiespeicher



    Luminescent properties of nitrogen doped gap semiconductor studied with photothermal deflection spectroscopy [2554-30]

    Dong, M. / Ding, Z. / Tong, L. et al. | British Library Conference Proceedings | 1995


    Photoelectron spectroscopy by electron attachment

    Ajello, J. M. / Chutjian, A. | NTRS | 1977


    Defect population in Ge doped silica studied by fluorescence spectroscopy

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