We show heavy ion test results of a commercial production-level ReRAM. The memory array is robust to bit upsets. However the ReRAM system is vulnerable to SEFI.


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    Titel :

    Single-Event Effect Performance of a Commercial ReRAM


    Beteiligte:
    Chen, Dakai (Autor:in) / Kim, Hak S. (Autor:in) / Phan, Anthony (Autor:in) / Wilcox, Edward (Autor:in) / LaBel, Kenneth (Autor:in) / Buchner, Stephen (Autor:in) / Khachatrian, Ani (Autor:in) / Roche, Nicolas (Autor:in)

    Kongress:

    (IEEE) Nuclear and Space Radiation Effects Conference (NSREC) ; 2014 ; Paris, France


    Erscheinungsdatum :

    14.07.2014


    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Keine Angabe


    Sprache :

    Englisch




    Single-Event Effect Response of a Commercial ReRAM

    Chen, Dakai / Label, Kenneth A. / Kim, Hak et al. | NTRS | 2014


    Single event effect testing of commercial Off-The-Shelf components

    Riaz, M. Hammad / Javed, A. / Ahsan, M. | IEEE | 2015


    ReRAM-Based Intrinsically Secure Memory: A Feasibility Analysis

    Olexa, Nicholas / Jha, Rashmi / Mandal, Soumyajit et al. | IEEE | 2019


    Mit ReRAM und MRAM in eine schnellere Zukunft

    British Library Online Contents | 2013


    Single-event upsets in highly scaled commercial SOI microprocessor

    Irom, Farokh / Farmanesh, Farhad | NTRS | 2004