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    Titel :

    Modeling spin-dependent transport in InAs/GaSb/AISb resonant tunneling structures


    Beteiligte:
    Ting, D. Z. -Y. (Autor:in) / Cartoixa-Soler, X. (Autor:in) / McGill, T. C. (Autor:in) / Smith, D. L. (Autor:in) / Schulman, J. N. (Autor:in)

    Kongress:

    8th International Workshop on Computational Electronics (IWCE-8)


    Erscheinungsdatum :

    15.10.2001


    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Keine Angabe


    Sprache :

    Englisch




    InAs/GaSb/AlSb resonant tunneling spin device concepts

    Ting, D. / Cartoixa, X. | NTRS | 2003


    Theoretical analysis of spin polarization effects in InAs/GaSb/AlSb resonant tunneling structures

    Ting, D. Z. -Y. / Cartoixa-Soler, X. / McFill, T. C. et al. | NTRS | 2001


    Saturation characteristics of a 1.55 /spl mu/m GaSb/AISb MQW Fabry-Perot mirror

    Hall, K.C. / Yashfrir, Yu. / van Driel, H.M. et al. | IEEE | 1997


    Surface conduction in InAs and GaSb

    Sidor, D. E. / Savich, G. R. / Wicks, G. W. | SPIE | 2015


    Resonant tunneling through single InAs quantum dot at room temperature

    Lu, Wei / Li, Tianxin / Xiong, Dayuan et al. | IEEE | 2006