Zugriff

    Zugriff über TIB

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    InAs/GaSb/AlSb resonant tunneling spin device concepts


    Beteiligte:
    Ting, D. (Autor:in) / Cartoixa, X. (Autor:in)

    Kongress:

    11th International Conference on Narrow Gap Semiconductors


    Erscheinungsdatum :

    16.06.2003


    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Keine Angabe


    Sprache :

    Englisch




    Theoretical analysis of spin polarization effects in InAs/GaSb/AlSb resonant tunneling structures

    Ting, D. Z. -Y. / Cartoixa-Soler, X. / McFill, T. C. et al. | NTRS | 2001


    Modeling spin-dependent transport in InAs/GaSb/AISb resonant tunneling structures

    Ting, D. Z. -Y. / Cartoixa-Soler, X. / McGill, T. C. et al. | NTRS | 2001


    InAs-GaSb-AlSb quantum confined structures for IR applications (Invited Paper) [2554-17]

    Hoffman, C. A. / Meyer, J. R. / Bartoli, F. J. et al. | British Library Conference Proceedings | 1995


    Terahertz electroluminescence from AlSb/GaSb quantum cascade laser structure

    Hosako, I. / Yasuda, H. / Miyashita, S. et al. | IEEE | 2005


    MC5-10 Terahertz Electroluminescence from AlSb/GaSb Quantum Cascade Laser Structure

    Hosako, I. / Yasuda, H. / Miyashita, S. et al. | British Library Conference Proceedings | 2005