Experimental study presents examples of empirical modeling of single-event upset in negatively-doped-source/drain metal-oxide-semiconductor static random-access memory cells. Data supports adoption of simplified worst-case model in which cross sectionof SEU by ion above threshold energy equals area of memory cell.


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    Titel :

    Empirical Modeling Of Single-Event Upset


    Beteiligte:

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    01.12.1988



    Medientyp :

    Sonstige


    Format :

    Keine Angabe


    Sprache :

    Englisch




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