A novel FET-BJT combinational transistor configuration is proposed and demonstrated using discrete devices. This new transistor features fast switching, very simple drive requirement, elimination of reverse bias second breakdown, and good utilization of semiconductor chip area. Initial results indicate that power hybrid construction of the device is essential to enhance the current rating of the device.


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    Titel :

    A new FET-bipolar combinational power semiconductor switch


    Beteiligte:
    Chen, D. Y. (Autor:in) / Chandrasekaran, S. (Autor:in) / Chin, S. A. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.03.1984



    Medientyp :

    Sonstige


    Format :

    Keine Angabe


    Sprache :

    Englisch




    A New FET-Bipolar Combinational Power Semiconductor Switch

    Chen, D. Y. / Chandrasekaran, S. / Chin, S. A. | IEEE | 1984




    Combinational electronic apparatus

    HSU CHAO-CHIH | Europäisches Patentamt | 2019

    Freier Zugriff

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    CHAO-CHIH HSU | Europäisches Patentamt | 2019

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