Four bipolar-FET (field-effect transistor) combinational transistor configurations are compared from the application point of view. The configurations included are FET-Darlington (cascade), emitter-open switch (cascode), parallel configuration, and FET-gated bipolar transistors (FGT).


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    Titel :

    Bipolar-FET Combinational Power Transistors for Power Conversion Applications


    Beteiligte:
    Chen, Dan Y. (Autor:in) / Chin, Shaoan A. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    01.09.1984


    Format / Umfang :

    1178976 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch




    A new FET-bipolar combinational power semiconductor switch

    Chen, D. Y. / Chandrasekaran, S. / Chin, S. A. | NTRS | 1984


    A New FET-Bipolar Combinational Power Semiconductor Switch

    Chen, D. Y. / Chandrasekaran, S. / Chin, S. A. | IEEE | 1984


    ST Rad-Hard Power Bipolar Transistors Product Portofolio

    Camonita, G. / Pintacuda, F. / European Space Agency | British Library Conference Proceedings | 2011


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    Jovanovic, Milan M. / Lee, Fred C. / Chen, Dan Y. | IEEE | 1986