Concentration of carbide impurities in silicon ribbon is reduced by growing crystalline ribbon with die one wall higher than other. Height difference controls shape of meniscus at liquid/crystal interface and concentrates silicon carbide impurity near one of broad faces. Opposite face is left with above-average purity. Significantly improves efficiency of solar cells made from ribbon.


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    Titel :

    Asymmetric Die Grows Purer Silicon Ribbon


    Beteiligte:
    Kalejs, J. P. (Autor:in) / Chalmers, B. (Autor:in) / Surek, T. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    01.03.1983



    Medientyp :

    Sonstige


    Format :

    Keine Angabe


    Sprache :

    Englisch


    Schlagwörter :


    Crucible Grows Wide Silicon Ribbon

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