An overview of the state of the art of processing silicon for use as infrared detectors is presented. Improvements in the process that could be obtained in a low-g environment were examined. The various requirements for the different types of Si detector materials are summarized.


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    Titel :

    Float zone silicon for IR detectors


    Beteiligte:
    Kern, E. L. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.12.1980


    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Keine Angabe


    Sprache :

    Englisch


    Schlagwörter :


    Float Zone Workshop

    E. L. Kern / E. K. Cothran | NTRS | 1981


    Float Zone Workshop

    Naumann, R. J. | NTRS | 1980


    Float Zone Workshop

    R. J. Naumann | NTIS | 1980


    Float Zone Workshop

    E. L. Kern / E. K. Cothran | NTIS | 1981