Long-term field-reliability of gallium nitride (GaN) and silicon carbide (SiC) power switching devices is critically discussed in terms of bulk material defects. A new static reverse bias stress test circuit with a reactive load is proposed to delineate devices prone to field-failures.


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    Titel :

    Reliability of wide bandgap semiconductor power switching devices


    Beteiligte:
    Shenai, K (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.07.2010


    Format / Umfang :

    703786 byte





    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



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