We have developed a halogen free inductively coupled plasma fast dry etch for InGaN/ AlGaN based LED and laser structures. The absence of any toxic source gases make the process much simpler to implement.


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    Titel :

    Halogen free dry etching of InGaN/AlGaN optoelectronic device structures


    Beteiligte:
    Sale, T.E. (Autor:in) / Ahmed, S. (Autor:in) / Lancefield, D. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2005


    Format / Umfang :

    127679 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Halogen Free Dry Etching of InGaN/AlGaN Optoelectronic Device Structures

    IEEE Lasers and Electro-optics Society | British Library Conference Proceedings | 2005


    AlGaN/InGaN/GaN Materials Engineering for Lasers and Optoelectronic Applications

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1996



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