We observe strong electroabsorption in Ge quantum wells with SiGe barriers, grown on Si substrates, with performance comparable to III-V materials, and promising compact, low-power, high-speed modulators compatible with Si CMOS electronics.


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    Titel :

    Quantum-confined Stark effect electroabsorption in Ge/SiGe quantum wells on silicon substrates


    Beteiligte:
    Yu-Hsuan Kuo, (Autor:in) / Yongkyu Lee, (Autor:in) / Shen Ren, (Autor:in) / Yangsi Ge, (Autor:in) / Miller, D.A.B. (Autor:in) / Harris, J.S. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    2005-01-01


    Format / Umfang :

    185106 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Quantum-Confined Stark Effect Electroabsorption in Ge/SiGe Quantum Wells on Silicon Substrates

    IEEE Lasers and Electro-optics Society | British Library Conference Proceedings | 2005


    Design of Ge-SiGe Quantum-Confined Stark Effect Electroabsorption Heterostructures for CMOS Compatible Photonics

    Lever, L. / Ikonic, Z. / Valavanis, A. et al. | British Library Online Contents | 2010



    Interdiffused InGaAs/InP quantum wells for polarization-independent electroabsorption

    Micallef, J. / Borg, J. L. / Li, E. H. | British Library Online Contents | 1997