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    Titel :

    Quantum-Confined Stark Effect Electroabsorption in Ge/SiGe Quantum Wells on Silicon Substrates



    Kongress:

    18th:; ANNUAL MEETING, Lasers and Electro-Optics Society; IEEE LEOS ; 2005 ; Sydney, Australia



    Erscheinungsdatum :

    2005-01-01


    Format / Umfang :

    2 pages


    Anmerkungen:

    IEEE cat no: 05CH37693




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch


    Schlagwörter :



    Design of Ge-SiGe Quantum-Confined Stark Effect Electroabsorption Heterostructures for CMOS Compatible Photonics

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