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    Titel :

    Subpicosecond carrier lifetime in beryllium-doped lnGaAsP grown by He-plasma-assisted molecular beam epitaxy


    Beteiligte:
    Li Qian, (Autor:in) / Benjamin, S.D. (Autor:in) / Smith, P.W.E. (Autor:in) / Robinson, B.J. (Autor:in) / Thompson, D.A. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    1997-01-01


    Format / Umfang :

    169261 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Carrier lifetime in Hg~1~-~xCd~xTe grown by molecular beam epitaxy

    Voitsekhovskii, A. V. / Denisov, Y. A. / Kokhanenko, A. P. et al. | British Library Conference Proceedings | 1999



    High-quality InN grown by rf-plasma assisted molecular beam epitaxy as novel material for optical communication

    Kawai, M. / Kikuchi, A. / Kishino, K. et al. | British Library Conference Proceedings | 2003