We have demonstrated what we believe to be the first anisotropic electro-absorption in a strained In/sub 0.13/Ga/sub 0.87/As/GaAs MQW modulator structure grown on vicinal [110] GaAs substrates. This novel effect could provide a useful characteristic for optical signal processing. The results reported here may lead to the design of a whole new class of polarization-sensitive light modulators.<>


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    Titel :

    Polarization dependent electro-absorption in (In,Ga)As/GaAs strained multiple quantum well modulator grown on [110] GaAs


    Beteiligte:
    Sun, D. (Autor:in) / Towe, E. (Autor:in) / Hayduk, M. (Autor:in) / Boncek, R.K. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    01.01.1993


    Format / Umfang :

    124865 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch