High-speed etching of single-crystal 6H-SiC by femtosecond Ti:sapphire laser ablation was demonstrated. Fine line pattern of 60 /spl mu/m in depth was fabricated with relatively smooth etched surface with little damage.


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    Titel :

    Micromachining of SiC by femtosecond laser ablation


    Beteiligte:
    Aoki, N. (Autor:in) / Sugioka, K. (Autor:in) / Obata, K. (Autor:in) / Akane, T. (Autor:in) / Takahashi, T. (Autor:in) / Cho, S.H. (Autor:in) / Kumagai, H. (Autor:in) / Toyoda, K. (Autor:in) / Midorikawa, K. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2001


    Format / Umfang :

    147119 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



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