The development of the monolithic integration of AlGaN/GaN FETs with LiNbO/sub 3/ structures for optical signal processing is presented. Wc also present new III-nitride material growth details and electronic device performance.


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    Titel :

    Monolithic integration of electronic and electro-optical devices exploiting the AlGaN/GaN-LiNbO/sub 3/ material system


    Beteiligte:
    Madison, S.M. (Autor:in) / Henderson, W. (Autor:in) / Gon Nainkoong, (Autor:in) / Kyoung-Keun Lee, (Autor:in) / Patel, K.M. (Autor:in) / Doolittle, W.A. (Autor:in) / Ralph, S.E. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    01.01.2005


    Format / Umfang :

    1559495 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch




    Monolithic integration of AlGaN/GaN-LiNbO/sub 3/ optical-electronic-structures

    Madison, S.M. / Henderson, W. / Namkoong, G. et al. | IEEE | 2004



    Monolithic Integration of AlGaN/GaN-LiNbO3 Optical-Electronic Structures

    Lasers and Electro-optics Society (Institute of Electrical and Electronics Engineers) | British Library Conference Proceedings | 2004