We present an innovative technology directed at monolithic integration of GaN electronic devices with lithium niobate (LiNbO/sub 3/) waveguides. GaN FETs have been fabricated for use in systems occupying complete phase and amplitude control and measurement capabilities.


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    Titel :

    Monolithic integration of AlGaN/GaN-LiNbO/sub 3/ optical-electronic-structures


    Beteiligte:
    Madison, S.M. (Autor:in) / Henderson, W. (Autor:in) / Namkoong, G. (Autor:in) / Patel, K.M. (Autor:in) / Doolittle, A. (Autor:in) / Ralph, S.E. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2004


    Format / Umfang :

    130843 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Monolithic Integration of AlGaN/GaN-LiNbO3 Optical-Electronic Structures

    Lasers and Electro-optics Society (Institute of Electrical and Electronics Engineers) | British Library Conference Proceedings | 2004