Use of thin oxide apertures placed at an optical node and spatially selective oxidation allow monolithic integration of uniform, ultralow threshold surface- and substrate-emitting VCSEL's on a single epitaxial wafer for free-space interconnect systems.


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    Titel :

    Ultralow threshold monolithically integrated surface and substrate emitting vertical cavity surface emitting lasers with properties controlled by oxide aperture placement


    Beteiligte:
    Bond, A.E. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.1998


    Format / Umfang :

    167684 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch