Fully-strained and high-quality Ge-rich SiGe films are grown on Ge-lattice-matched substrates by molecular beam epitaxy. Ge/SiGe quantum well structures are characterized by low-temperature photoluminescence and exhibit efficient quantum confinement and band edge emission.


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    Titel :

    Growth and characterization of SiGe layers on Ge-lattice-matched substrates by MBE for long wavelength optical devices


    Beteiligte:
    Kuo, Y.H. (Autor:in) / Yu, X. (Autor:in) / Fu, J. (Autor:in) / Solomon, G.S. (Autor:in) / Harris, J.S. (Autor:in) / Kamins, T.I. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    01.01.2005


    Format / Umfang :

    758474 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch





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