We report characteristics of GaAs quantum well intermixing using a buried Al-oxide layer. The band gap blue shifts about 59 meV when annealed at 950/spl deg/C for 120 seconds. The photoluminescence around the interface clearly shows anisotropic carrier diffusion to the lower energy region.


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    Titel :

    Intermixing of GaAs quantum well using buried Al-oxide layer


    Beteiligte:
    Kyu-Sang Kim, (Autor:in) / Kyoung-Ho Ha, (Autor:in) / Il-Young Han, (Autor:in) / Chang-Kyu Kim, (Autor:in) / Yong-Hee Lee, (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.1999


    Format / Umfang :

    122451 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch