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    Titel :

    Facet Passivation of GaInAsP/InP Laser Diodes by Aluminum Ultrathin Layer Insertion


    Beteiligte:
    Ichikawa, H. (Autor:in) / Fukuda, C. (Autor:in) / Hamada, K. (Autor:in) / Nakabayashi, T. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2006


    Format / Umfang :

    256396 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    980nm Laser Diodes using Strained-Layer GaInAsP Quantum-Wells

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1997


    980 nm laser diodes using strained-layer GaInAsP quantum-wells

    Arakawa, S. / Ishikawa, T. / Iwai, N. et al. | IEEE | 1997


    Facet-Passivation Processes for the Improvement of Al-Containing Semiconductor Laser Diodes

    Lambert, R. W. / Ayling, T. / Hendry, A. F. et al. | British Library Online Contents | 2006


    SEMICONDUCTOR LASERS Native-nitride passivation eliminates facet failure

    Silfvenius, C. / Blixt, P. / Lindstrom, C. et al. | British Library Online Contents | 2003


    High brightness curved-facet laser diodes operating at 980 nm

    Braddell, J. / O'Brien, P. / McInerney, J. | IEEE | 1996