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    Titel :

    Indium Composition Dependent Threshold Current Density In Strained InGaAs/AlGaAs Quantum Well Lasers


    Beteiligte:
    Sugimoto, M. (Autor:in) / Hamao, N. (Autor:in) / Nishi, K. (Autor:in) / Yokoyama, H. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.1990


    Format / Umfang :

    67779 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Extremely Low-Threshold Current Density InGaAs/AlGaAs Quantum-Well Lasers on Silicon

    Wang, Jun / Ren, Xiaomin / Deng, Can et al. | British Library Online Contents | 2015


    Low Threshold InGaAs-AlGaAs-GaAs Strained-Layer Quantum Well Heterostructure Square Ring Lasers

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1993



    Low-threshold strained GaInP quantum-well ridge lasers with AlGaAs Cladding Layers

    Unger, P. / Bona, G.L. / Germann, R. et al. | IEEE | 1992


    Low-Threshold Strained GaInP Quantum-Well Ridge Lasers with AlGaAs Cladding Layers

    Unger, P. / Bona, G. L. / Germann, R. et al. | British Library Conference Proceedings | 1992