Low-threshold strained GalnP quantum well ridge lasers with AlGaAs cladding layers have been fabricated. Due to an electroplated heat spreader the devices can be operated junction-side up at temperatures up to 90//spl deg/C.


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    Titel :

    Low-threshold strained GaInP quantum-well ridge lasers with AlGaAs Cladding Layers


    Beteiligte:
    Unger, P. (Autor:in) / Bona, G.L. (Autor:in) / Germann, R. (Autor:in) / Roentgen, P. (Autor:in) / Webb, D.J. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.1992


    Format / Umfang :

    272999 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Low-Threshold Strained GaInP Quantum-Well Ridge Lasers with AlGaAs Cladding Layers

    Unger, P. / Bona, G. L. / Germann, R. et al. | British Library Conference Proceedings | 1992



    Intrinsic Modulation Bandwidth of Strained GaInP/AlGaInP Quantum Well Lasers

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1996


    Intrinsic modulation bandwidth of strained GaInP/AlGaInP quantum well lasers

    Moritz, A. / Wirth, R. / Heppel, S. et al. | IEEE | 1996