Zugriff

    Zugriff über TIB

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

    Bestellung bei Subito €


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    Extremely Low-Threshold Current Density InGaAs/AlGaAs Quantum-Well Lasers on Silicon


    Beteiligte:
    Wang, Jun (Autor:in) / Ren, Xiaomin (Autor:in) / Deng, Can (Autor:in) / Hu, Haiyang (Autor:in) / He, Yunrui (Autor:in) / Cheng, Zhuo (Autor:in) / Ma, Haoyuan (Autor:in) / Wang, Qi (Autor:in) / Huang, Yongqing (Autor:in) / Duan, Xiaofeng (Autor:in)

    Erschienen in:

    Journal of lightwave technology ; 33 , 15 ; 3163-3169


    Erscheinungsdatum :

    2015-01-01


    Format / Umfang :

    7 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch


    Klassifikation :

    DDC:    621.3692



    980 nm InGaAs/AlGaAs quantum well lasers with extremely low beam divergence

    Shun-Tung Yen, / Gray Lin, / Der-Cherng Liu, et al. | IEEE | 1996


    980 nm InGaAs/AlGaAs Quantum Well Lasers with Extremely Low Beam Divergence

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1996


    Low Threshold InGaAs-AlGaAs-GaAs Strained-Layer Quantum Well Heterostructure Square Ring Lasers

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1993


    50-W peak power AlGaAs/InGaAs/GaAs single quantum-well 990-nm diode lasers

    Martinelli, R.U. / Li, J. / Khalfin, V. et al. | IEEE | 2004


    Low-Threshold Strained GaInP Quantum-Well Ridge Lasers with AlGaAs Cladding Layers

    Unger, P. / Bona, G. L. / Germann, R. et al. | British Library Conference Proceedings | 1992