We analyze the carrier density dependence of intersubband transition (ISB-T) responses at 1.55 gm in InGaAs/AlAsSb coupled double quantum well (C-DQW) structures and show the capability of all-optical switching faster than 700 fs due to ultrafast carrier redistribution in heavily doped C-DQW. We also show an experimental demonstration of ultrafast response of ISB absorption in this structure.


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    Titel :

    Ultrafast intersubband transitions in heavily doped InGaAs/AlAsSb coupled double quantum well structures for all-optical switching


    Beteiligte:
    Yoshida, H. (Autor:in) / Akiyama, T. (Autor:in) / Mozume, T. (Autor:in) / Georgiev, N. (Autor:in) / Gopal, A.V. (Autor:in) / Wada, O. (Autor:in) / Ishikawa, H. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2001


    Format / Umfang :

    157412 byte





    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch