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    Titel :

    Fermi-Level Pinning in GaInP/AIGaInP Laser Diodes


    Beteiligte:
    Smowton, P.M. (Autor:in) / Blood, P. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.1998


    Format / Umfang :

    101399 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Growth And Characterization Of AiGaInP Diode Lasers

    Bour, D.P. / Treat, D.W. / Bringans, R.D. et al. | IEEE | 1993


    A nonmechanical laser scanner by electron beam pumping of AIGaInP-GalnP semiconductor structures

    Cornelissen, H.J. / Savert, C.J. / Niesten, M.J.H. et al. | IEEE | 1994


    Optimisation of 635nm Tensile Strained GaInP Laser Diodes

    Institute of Electrical and Electronics Engineers | British Library Conference Proceedings | 2002


    Study On The Feasibility Of GalnP/AiGaInP Quantum Wire Lasers

    Lehr, G. / Bergmann, R. / Moser, M. et al. | IEEE | 1991


    Optimisation of 635 nm tensile strained GaInP laser diodes

    Smowton, P.M. / Lewis, G.M. / Chow, W.W. et al. | IEEE | 2002