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    Titel :

    Optimisation of 635nm Tensile Strained GaInP Laser Diodes



    Kongress:

    18th, International semiconductor laser conference ; 2002 ; Garmisch-partenkirchen, Germany



    Erscheinungsdatum :

    01.01.2002


    Format / Umfang :

    2 pages




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    Optimisation of 635 nm tensile strained GaInP laser diodes

    Smowton, P.M. / Lewis, G.M. / Chow, W.W. et al. | IEEE | 2002


    High Performance AlAs Native Oxide-Confined GaInP/AlGaInP 635nm Laser Diode

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1998


    Ordered and Disordered GaInP/AlGaInP Strained Layer Quantum Well Visible-Light Emitting Laser Diodes

    Van der Poel, C. J. / Valster, A. / Finke, M. N. et al. | British Library Conference Proceedings | 1992


    The role of strain and well-width in 635nm laser performance

    Smowton, P.M. / Lewis, G.M. / Chow, W.W. et al. | IEEE | 2003


    Fermi-Level Pinning in GaInP/AIGaInP Laser Diodes

    Smowton, P.M. / Blood, P. | IEEE | 1998