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    Titel :

    Development Of High Resolution Reactive Ion Etching Of II-VI Semiconductors Using CH4/H2


    Beteiligte:
    Foad, M.A. (Autor:in) / Dunscomb, C. (Autor:in) / Williams, R.H. (Autor:in) / Wilkinson, C.D.W. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.1991


    Format / Umfang :

    183005 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Etching Semiconductors With Beams Of Reactive Atoms

    Minton, Timothy K. / Giapis, Konstantinos P. / Moore, Teresa A. | NTRS | 1995


    Deep, Precise Etching in Semiconductors

    Shlichta, P. J. / Barth, P. W. | NTRS | 1987



    Shallow and deep dry etching of silicon using ICP cryogenic reactive ion etching process

    Sökmen, . / Stranz, A. / Fündling, S. et al. | British Library Online Contents | 2010