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    Titel :

    High-Power Operation of Strained GaInP/AIGaInP Quantum Well Laser Diodes Grown by Solid Source Molecular Beam Epitaxy


    Beteiligte:
    Toivonen, M. (Autor:in) / Savolainen, P. (Autor:in) / Orsila, S. (Autor:in) / Dumitrescu, M. (Autor:in) / Pessa, M. (Autor:in) / Corvini, P. (Autor:in) / Fang, F. (Autor:in) / Finander, M. (Autor:in) / Nabiev, R.F. (Autor:in) / Jansen, M. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.1998


    Format / Umfang :

    105316 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch




    Characteristics of InGaAs/GaAs/GaInP Quantum Well Lasers Grown by Gas-Source Molecular-Beam Epitaxy

    Zhang, G. / Ovtchinnikov, A. / Naeppi, J. et al. | British Library Conference Proceedings | 1992


    High-power 2.1 W CW-operation of 650 nm laser diodes grown by solid-source molecular beam epitaxy

    Tukiainen, A.T. / Toikkanen, L.J. / Hirvonen, I.A.T. et al. | IEEE | 2003


    Ordered and Disordered GaInP/AlGaInP Strained Layer Quantum Well Visible-Light Emitting Laser Diodes

    Van der Poel, C. J. / Valster, A. / Finke, M. N. et al. | British Library Conference Proceedings | 1992


    Optimisation of 635nm Tensile Strained GaInP Laser Diodes

    Institute of Electrical and Electronics Engineers | British Library Conference Proceedings | 2002