We present the design and characterization of SiGe Heterojunction Phototransistors using an 80GHz commercial SiGe Bipolar process. It is shown that 50μm HPTs are exhibits highest gain.bandwidth product of 0.8GHz.A/W compared to the 10μm HPTs.


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    Titel :

    Design and implementation of SiGe HPTs using an 80GHz SiGe bipolar process technology


    Beteiligte:
    Rosales, M. D. (Autor:in) / Polleux, J.-L (Autor:in) / Algani, C. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.09.2011


    Format / Umfang :

    185092 byte





    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



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