Zugriff

    Zugriff über TIB

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

    Bestellung bei Subito €


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    Noise Behaviour in SiGe BiCMOS Technology


    Beteiligte:
    Regis, M. (Autor:in) / Plana, R. (Autor:in) / Borgarino, M. (Autor:in) / Lafontaine, H. (Autor:in) / Tartarin, J. G. (Autor:in) / Llopis, O. (Autor:in) / Kovacic, S. (Autor:in) / European Space Agency

    Kongress:

    European space components conference; ESCCON 2000 ; 2000 ; Noordwijk, Netherlands



    Erscheinungsdatum :

    01.01.2000


    Format / Umfang :

    6 pages


    Anmerkungen:

    Also known as ESCCON 2000



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    Cryogenic operation of SiGe BiCMOS voltage references

    Najafizadeh, Laleh / Bellini, Marco / Diestelhorst, Ryan et al. | Tema Archiv | 2006


    Collector Resistance of Accumulation-Subcollector Transistors for SOI SiGe BiCMOS Technology

    Xu, X.B. / Zhang, H.M. / Hu, H.Y. et al. | British Library Conference Proceedings | 2012


    SiGe BiCMOS comparator for extreme environment applications

    Sissons, Benjamin / Mantooth, Alan / Jia Di et al. | IEEE | 2015



    Cold-capable, radiation-hardened SiGe BiCMOS wireline transceivers

    England, Troy / Chatterjee, Chandim / Lourenco, Nelson et al. | IEEE | 2014