Generation of THz radiation in nanometer gate length InAlAs/InGaAs and AlGaN/GaN high mobility transistors is observed at room temperature. Spectral analysis of the emitted radiation is presented.


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    Titel :

    Room-temperature terahertz emission from nanometer field-effect transistors


    Beteiligte:
    Dyakonova, N. (Autor:in) / El Fatimy, A. (Autor:in) / Lusakowskil, J. (Autor:in) / Knap, W. (Autor:in) / Dyakonov, M.I. (Autor:in) / Poisson, M.-A. (Autor:in) / Morvan, E. (Autor:in) / Bollaert, S. (Autor:in) / Shchepetov, A. (Autor:in) / Roelens, Y. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.09.2006


    Format / Umfang :

    1129389 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Non-resonant detection of terahertz radiation by nanometer field effect transistors

    Meziani, Y.M. / Lusakowski, J. / Dyakonova, N. et al. | IEEE | 2005


    TB2-7 Non Resonant Detection Of Terahertz Radiation By Nanometer Field Effect Transistors

    Meziani, Y. M. / Lusakowski, J. / Dyakonova, N. et al. | British Library Conference Proceedings | 2005



    Room temperature terahertz microbolometers

    Peytavit, E. / Agnese, P. / Ouvrier Buffet, J.-L. et al. | IEEE | 2005


    TB2-1 Room Temperature Terahertz Microbolometers

    Peytavit, E. / Agnese, P. / Ouvrier Buffet, J.-L. et al. | British Library Conference Proceedings | 2005