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    Titel :

    1 W CW, 645 nm GaInP/GaAlInP Broad Stripe Laser Diodes


    Beteiligte:
    Ou, S.S. (Autor:in) / Yang, J.J. (Autor:in) / Jansen, M. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.1993


    Format / Umfang :

    154263 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    1 W CW, 645 nm GaInP/GaAlInP Broad Stripe Laser Diodes

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1993


    Optimisation of 635nm Tensile Strained GaInP Laser Diodes

    Institute of Electrical and Electronics Engineers | British Library Conference Proceedings | 2002


    Fermi-Level Pinning in GaInP/AIGaInP Laser Diodes

    Smowton, P.M. / Blood, P. | IEEE | 1998


    Optimisation of 635 nm tensile strained GaInP laser diodes

    Smowton, P.M. / Lewis, G.M. / Chow, W.W. et al. | IEEE | 2002


    Direct Imaging of 0.81 m and 0.98m Tapered and Broad Stripe Semiconductor Laser Diodes

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1997