Near-infrared (800 nm wavelength) femtosecond laser annealing (FLA) is employed on crystallization and activation of amorphous Si regions of thin film transistors (TFT). The transfer, and output characteristics for FLA-processed TFTs show promising performances.


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    Titel :

    Near-infrared femtosecond laser-processed thin-film transistor


    Beteiligte:
    Zun-Hao Chen, (Autor:in) / Jia-Min Shieh, (Autor:in) / Bau-Tong Dai, (Autor:in) / Yi-Chao Wang, (Autor:in) / Ci-Ling Pan, (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    2005-01-01


    Format / Umfang :

    1278238 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Near-Infrared Femtosecond Laser-Processed Thin-Film Transistor

    Shieh, J.-M. | British Library Conference Proceedings | 2005


    Near-Infrared Femtosecond Laser activation of shallow B and P doped layers

    Yi-Chao Wang, / Zaitsev, A. / Ci-Ling Pan, et al. | IEEE | 2005


    Tunable Femtosecond High Power Mid-Infrared Laser Pulses

    IEEE Lasers and Electro-optics Society | British Library Conference Proceedings | 2005


    Tunable femtosecond high power mid-infrared laser pulses

    Imahoko, T. / Zhigang Zhang, / Takada, Y. et al. | IEEE | 2005