Selective quantum well intermixing in 1.22 and 1.55 /spl mu/m GaInNAs/GaAs laser structures using a sputtered silica cap deposition process is reported. Controlled wavelength shifts of 60 and 93 nm were obtained in 1.22 and 1.55 /spl mu/m material respectively.


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    Titel :

    Selective quantum well intermixing of 1.22 and 1.55 /spl mu/m GaInNAs laser material


    Beteiligte:
    Harris, J.L. (Autor:in) / Bryce, A.C. (Autor:in) / Kowalski, O.P. (Autor:in) / Marsh, J.H. (Autor:in) / Jouhti, T. (Autor:in) / Pessa, M. (Autor:in) / Hopkinson, M. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2004


    Format / Umfang :

    146554 byte



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



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    Steinle, G. / Ramakrishnan, A. / Supper, D. et al. | IEEE | 2002



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