We report a low Ith (/spl sim/1.5 mA), high power (>5 mW) and speed performance (10 Gb/s operation) single mode GaAs VCSEL employing O+ implantation, MOCVD re-growth and selective oxidation.


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    Titel :

    High speed modulation of large-area single-transverse-mode vertical-cavity surface-emitting


    Beteiligte:
    Tao-Hung Hsueh, (Autor:in) / Hao-Chung Kuo, (Autor:in) / Fang-I Lai, (Autor:in) / Li-Hung Lai, (Autor:in) / Wang, S.C. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2003


    Format / Umfang :

    225947 byte



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    High performance large area single-mode vertical-cavity surface-emitting lasers

    Tao-Hung Hsueh, / Hao-Chung Kuo, / Fang-I Lai, et al. | IEEE | 2003


    High performance large-area single-mode vertical-cavity surface-emitting lasers

    Hsueh, T.-H. / Kuo, H.-C. / Lai, F.-I. et al. | British Library Conference Proceedings | 2003



    Transverse mode selection in external cavity vertical-cavity surface-emitting lasers

    Dellunde, J. / Valle, A. / Shore, K. A. | British Library Conference Proceedings | 1996


    High-speed modulation of 850-nm vertical-cavity surface-emitting lasers

    Lim, D.H. / Hwang, S.M. / Nam, S.H. | IEEE | 2001